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Resistencia de gran intensidad de la eficacia alta de los diodos de Schottky de la pérdida de la energía baja
Datos del producto:
| Lugar de origen: | Dongguan China |
| Nombre de la marca: | Uchi |
| Certificación: | CE / RoHS / ISO9001 / UL |
| Número de modelo: | MBR30100 |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | negociación |
|---|---|
| Precio: | Negotiation |
| Detalles de empaquetado: | Paquete/negociación de la exportación |
| Tiempo de entrega: | negociación |
| Condiciones de pago: | T/T |
| Capacidad de la fuente: | 2000000 por mes |
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Información detallada |
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| Tipo: | Diodo de Schottky | Características: | Resistencia de gran intensidad |
|---|---|---|---|
| Tipo del paquete: | A través del agujero | Max. Forward Current: | 30A, 30A |
| Voltaje delantero del máximo: | 0.9V, 0.9V | Usos: | Diodos que ruedan libres |
| Alta luz: | Diodos de Schottky de la pérdida de la energía baja,Diodos de gran intensidad de Schottky de la resistencia,Diodos que ruedan libres de Schottky |
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Descripción de producto
Diodos Schottky de baja pérdida de energía Resistencia de alta corriente de alta eficiencia
MBR30100.pdf
El diodo Schottky es un diodo de reparación rápida, que es un componente semiconductor rápido de consumo de energía.Sus características obvias son que el tiempo de recuperación inversa es muy corto (puede ser tan pequeño como unos pocos nanosegundos) y la caída de presión directa es de solo 0,4 V.Los diodos Schottky se utilizan principalmente como diodos rectificadores de alta frecuencia, bajo voltaje y alta corriente, diodos de rueda libre y diodos de mantenimiento.También se utilizan eficazmente como diodos rectificadores y diodos de detección de señales de datos pequeños en circuitos de alimentación, como las comunicaciones de fibra óptica.Se utiliza comúnmente en la rectificación de la fuente de alimentación de conmutación secundaria y la rectificación de la fuente de alimentación de alto voltaje de la TV en color.El diodo Schottky utiliza la unión metal-semiconductor como barrera Schottky para lograr el efecto real de rectificación, que es diferente de la unión PN formada por la unión semiconductor-semiconductor en los diodos en general.Las características de la barrera Schottky hacen que la corriente de encendido y apagado del diodo Schottky sea más baja y puede aumentar la tasa de conversión.Los diodos Schottky tienen un voltaje operativo de encendido y apagado extremadamente bajo.Un diodo general generará una corriente de aproximadamente 0,7 a 1,7 amperios cuando la corriente lo atraviese, pero la corriente del diodo Schottky es solo de 0,15 a 0,45 amperios, lo que puede mejorar la eficiencia del sistema.
Características
1. Estructura de cátodo común
2. Baja pérdida de potencia, alta eficiencia
3. Alta temperatura de unión operativa
4. Anillo protector para protección contra sobretensiones, alta confiabilidad
5. Producto RoHS
Aplicaciones
1. Interruptor de alta frecuencia Fuente de alimentación
2. Diodos de rueda libre, aplicaciones de protección de polaridad
CARACTERÍSTICAS PRINCIPALES
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SI (AV) |
10(2×5)A |
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VF (máx.) |
0.7V (@Tj=125°C) |
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tj |
175 ºC |
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VRRM |
100 V |
MENSAJE DEL PRODUCTO
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Modelo |
Calificación |
Paquete |
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MBR10100 |
MBR10100 |
TO-220C |
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MBRF10100 |
MBRF10100 |
TO-220F |
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MBR10100S |
MBR10100S |
TO-263 |
|
MBR10100R |
MBR10100R |
TO-252 |
|
MBR10100V |
MBR10100V |
TO-251 |
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MBR10100C |
MBR10100C |
TO-220 |
VALORES ABSOLUTOS (Tc=25°C)
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Parámetro |
Símbolo |
Valor |
Unidad |
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Voltaje inverso máximo repetitivo |
VRRM |
100 |
V |
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Tensión máxima de bloqueo de CC |
VCC |
100 |
V |
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Corriente directa promedio |
TC=150°C (TO-220/263/252 )TC=125°C(TO-220F) |
por dispositivo
por diodo |
SI (AV) |
10 5 |
A |
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Sobretensión de corriente directa no repetitiva de 8,3 ms de media onda sinusoidal única (método JEDEC) |
IFSM |
120 |
A |
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Temperatura máxima de unión |
tj |
175 |
ºC |
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Rango de temperatura de almacenamiento |
TSTG |
-40~+150 |
ºC |
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